Un grupo de investigadores británicos ha desarrollado una nueva tecnología de memoria llamada UltraRAM, que combina las características de la DRAM (memoria de acceso aleatorio dinámica) y la memoria flash para crear un dispositivo de almacenamiento no volátil con un rendimiento de alta calidad. Con UltraRAM, se introduce el concepto de memoria universal, que combina lo mejor de ambas tecnologías en un solo componente.
Los investigadores han anunciado la creación de una empresa para comercializar la tecnología UltraRAM, que fue desarrollada internamente en la Universidad de Lancaster.
La tecnología utiliza los mismos semiconductores que se utilizan en dispositivos optoelectrónicos como los LED, los láseres, los fotodiodos y los fototransistores, pero mejorando el rendimiento mediante el uso de sustratos de silicio en lugar de los wafers de arseniuro de galio, que son mucho más caros.
UltraRAM es una RAM no volátil capaz de almacenar datos sin necesidad de alimentación y con un rendimiento comparable al de las SDRAM actuales. Los investigadores estiman que la duración de almacenamiento de datos supera los 1000 años, y los resultados de las pruebas de laboratorio han demostrado que UltraRAM puede soportar más de 107 ciclos de programa/erase sin problemas.
En resumen, la tecnología UltraRAM representa un avance importante en el campo del almacenamiento de datos, al combinar las características de la DRAM y la memoria flash en un solo componente con un rendimiento de alta calidad. La creación de la empresa derivada demuestra el potencial comercial de esta tecnología desarrollada internamente por la Universidad de Lancaster.
