Un equipo de investigadores de la Universidad de Lancaster ha presentado las ventajas de la nueva memoria Ultraram, presentada como la "memoria universal" del futuro.
Un equipo de investigadores dirigido por el físico Manus Hayne (Universidad de Lancaster, Reino Unido) ha desarrollado lo que se presenta como una nueva generación de memoria que combina las principales ventajas de la memoria DRAM con las características de las memorias flash. La memoria Ultraram -como han sido bautizadas- será "no volátil" a diferencia de la memoria RAM tradicional.
Las memorias DRAM son rápidas, pero no son capaces de mantener los datos almacenados cuando les falta energía.
Por el contrario, las memorias flash se utilizan para almacenar datos de forma permanente y son adecuadas para el transporte en forma de dispositivos como tarjetas SD, memorias USB, unidades de estado sólido, etc. El principal problema es que son mucho más lentas que las memorias DRAM.
Ultraram tiene como objetivo introducir el concepto de "memoria universal" tomando lo mejor de ambos mundos. Para lograr este objetivo, el profesor Hayne y sus colaboradores han explotado los principios de la mecánica cuántica y, en particular, la llamada tunelización resonante que permite a las partículas superar una barrera potencial mediante la aplicación de voltajes reducidos (alrededor de 2,5V).
Los investigadores han conseguido diseñar los primeros prototipos de Ultraram con unos resultados increibles, la velocidad UltraRam es 2.000 veces más rápida que la DRAM y con mayor durabilidad.
Las pequeñas matrices Ultraram de 4 bits que los académicos de Lancaster han desarrollado constituyen la base para futuros chips de memoria a la espera de la confirmación del registro de patentes.
