IBM y Samsung han creado una nueva tecnología de transistores verticales VTFET (Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor) que permitirá crear chips más potentes pero a la vez más económicos en términos de consumo energético.
IBM y Samsung han anunciado su última evolución en el diseño de semiconductores: una nueva forma de apilar transistores verticalmente en un chip.
La nueva arquitectura se ha denominado Transistores de efecto de campo de transporte vertical (VTFET) y se presenta como la sucesora del FinFET actual.
Los diseños verticales en el caso de los semiconductores se vienen utilizando desde hace algún tiempo (a menudo se hablaba de Nanosheet) e incluso Intel parece querer seguir avanzando en esta dirección. Sin embargo, la empresa con sede en Santa Clara se ha centrado especialmente en apilar los componentes del chip en lugar de transistores individuales.
Los transistores FinFET son el pasado según IBM y Samsung presentando la nueva solución VTFET
Todavía estamos muy lejos de utilizar la solución VTFET en productos electrónicos de consumo; sin embargo, Intel y Samsung dicen que los nuevos chips garantizarían una duplicación del rendimiento o una reducción del 85% en el uso de energía en comparación con los diseños de FinFET. Al empaquetar más transistores en los chips, IBM y Samsung argumentan que la tecnología VTFET podría resucitar la Ley de Moore, que incluso según el CEO de Intel, Pat Gelsinger, está viva y coleando.
IBM y Samsung citan algunos "casos de uso" concretos que podrían conducir al nacimiento de teléfonos inteligentes cuya batería garantizara una semana de autonomía, el uso de mucha menos energía para la codificación y decodificación de datos y, por ejemplo, para actividades notoriamente intensivas en energía, como operaciones de minería de criptomonedas.
En mayo de 2021, IBM presentó el primer chip de 2 nm, enfocándose en una mayor potencia y un menor consumo de energía mientras continúa utilizando la tecnología FinFET existente.
Con VTFET deberíamos dar un nuevo "salto cualitativo", pero todavía pasará algún tiempo antes de que los chips desarrollados de la colaboración entre Big Blue y Samsung puedan llegar al mercado.
Por su parte, Intel ha adelantado su proyecto RibbonFet o el primer transistor gate-all-around: la empresa de Gelsinger lo considera como el sucesor de FinFET. Será una parte integral del proceso de construcción de 20 angstrom (20Å) que se utilizará para la producción en masa para 2024, al menos según los planes actuales.
